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祝融系列ZR5000×2管式PECVD ToxPoly All-in-one 系統(tǒng)
祝融系列ZR5000×2管式PEALD/PECVD集成系統(tǒng)
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正膜Al?O?/SiN?
祝融系列ZR5000×2管式PEALD/PECVD集成系統(tǒng)
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正膜Al?O?
夸父?系列KF20000批量式ALD系統(tǒng)
背膜SiN?
祝融系列ZR5000×1管式PECVD系統(tǒng)
阻隔封裝
電子傳輸層 SnO?
界面層/封裝層 AIO?
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產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用中心
iOptomic 系列原子層沉積系統(tǒng)
iTomic? PE系列等離子體增強原子層沉積系統(tǒng)
后羿?系列 板式ALD系統(tǒng)
iSparol系列卷對卷ALD系統(tǒng)
iTomic? MW Lite批量輕型系列原子層沉積系統(tǒng)
MEMS
iTomic? HiK系列原子層沉積系統(tǒng)
iTomic? HiK系列原子層沉積系統(tǒng),適用于客戶制程高介電常數(shù)(High- ?? )柵氧層、MIM電容器絕緣層、TSV介質(zhì)層等薄膜工藝需求;ALD系列設(shè)備憑借原子級別的精確控制、沉積薄膜的高覆蓋率和超薄膜厚的均勻性可為邏輯芯片、存儲芯片提供介質(zhì)層等關(guān)鍵工藝解決方案,技術(shù)和設(shè)備指標達到國內(nèi)一流、國際先進水平。
銷售郵箱
產(chǎn)品特點
12英寸單片熱ALD量產(chǎn)設(shè)備(兼容8英寸)
1
采用原創(chuàng)設(shè)計的反應(yīng)腔和源輸送加熱系統(tǒng),可滿足優(yōu)異的薄膜均勻性和重復(fù)性,更適合三維和高深寬比器件結(jié)構(gòu)的薄膜生長
2
薄膜材料:Al?O?、HfO?、HfSiO、SiO?、金屬化等工藝
3
配置有4種獨立的高溫前驅(qū)體輸送系統(tǒng),滿足ALD薄膜多元化摻雜工藝需求
4
前臺熱線:
0510-81975900
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江蘇省無錫市新吳區(qū)長江南路27號
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